單片集成 6 比特光延時(shí)芯片
梓冠光電的單片集成 6 比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)
路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
單片集成 6 比特光延時(shí)芯片特性
單片集成 6 比特光延時(shí)芯片規(guī)格參數(shù)
性能指標(biāo) Parameter 單位 Unit 典型值 Typical value 備注 Notes 延時(shí)位數(shù) Delay bits / 6 可定制 Can be customized 最小延時(shí)步進(jìn) Min.step-delay ps 59.2 可定制 Can be customized 可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量 Adjustable max.delay ps 3729.6 延時(shí)偏差 Delay deviation ps ≤±0.5 ≤±1@max 延時(shí)切換時(shí)間 Delay switching time μs ≤1 插入損耗 Insertion loss dB 14 各延時(shí)態(tài)損耗差異 Delay state loss difference dB ±0.5 波損耗 Return loss dB 45 芯片尺寸 Chip dimension mm 22×10×0.7
〖電管腳定義 Pin definition〗
〖延時(shí)量和光開(kāi)關(guān)傳輸狀態(tài)對(duì)應(yīng)關(guān)系Correspondence between delay amount&optical switch transmission state〗
〖芯片尺寸（單位：mm）Chip dimension(Unit:mm)〗
四川梓冠光電生產(chǎn)的硅基器件芯片系列包括：硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片、硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)器芯片、單片集成 6 比特光延時(shí)芯片、SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列、SOI芯片光電探測(cè)器陣列、SOI高速多通道光衰減器、SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列等，歡迎咨詢！
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